SanDisk producerar en ny generation flashminne
NyheterSanDisk tillkännagav idag att den har fött en ny generation av flashminneprodukter. NAND-flashminnet med flera nivåer använder sig av 43-nanometer (nm) -teknologi, som har dubbla densiteten hos den senaste generationen 56nm flash.
Detta kommer att leda till kommersialisering av nya 32 GB flashminne chips som snart ses i USB-enheter från första part samt Sansa View MP3-spelare.
43nm flash-tekniken är inte helt nyskapande. Det skapades för en tid sedan, men det faktum att SanDisk nu har lagt den i massproduktion är betydande. Det är världens största flashminneproducent och det stavar goda nyheter om flashminneskapacitet över hela linjen i solid state-enheter (SSD) och tredje parts mobila enheter som telefoner och GPS-system.
Goda nyheter för alla
43nm-chipsen har dubbelt så mycket transistorer i samma mängd utrymme som 56nm-enheterna. Den praktiska uppkomsten av vilken är att du får dubbelt så mycket kapacitet, till samma pris. 32GB-chipsen börjar levereras under andra halvåret 2008.
“Vi är glada att påbörja produktionsrampen i 43nm-generationen MLC NAND flash-minne med sina betydligt lägre kostnadsfördelar,” sade Dr. Randhir Thakur, SanDisks vice vd för teknik och världsomspännande verksamhet.
“Tekniska funktioner inkluderar SanDisks patenterade All Bit Line (ABL) arkitektur med effektiva programmeringsalgoritmer och 8-kilobyte (KB) sidstorlek, vilket ger högpresterande möjligheter. State-of-the-art litografi, andra processtekniska innovationer och branschens första 64-NAND-strängarkitektur ger lägre kostnad per megabyte och utmärkt prestanda. 43nm-teknikproduktionen kommer att bli vårt stora fokus under 2008, eftersom vi fortsätter att tillhandahålla ledande teknik och kostnadsfördelar till våra kunder,” han lade till.
Samtidigt tror SanDisk ingenjörer själva att gränserna för flashminneteknik kommer att ha uppnåtts senast 2012. Detta innebär att flashminne kommer att ha nått sina fysiska begränsningar och tillverkarna måste titta på alternativ teknik för att ytterligare öka solid state-kapaciteten.